發(fā)布時間: 2025-06-27 行業(yè)新聞

全球存儲芯片市場正經(jīng)歷一場深刻的變革。以三星、SK海力士、美光為代表的國外存儲大廠，在內(nèi)存技術(shù)迭代的浪潮中，對產(chǎn)品布局做出了重大調(diào)整，而這一變化也為國內(nèi)廠商帶來了新的機遇與挑戰(zhàn)。

01、國外大廠停產(chǎn)DDR4，國內(nèi)市場填補空缺

三星：2025年4月致函客戶，針對DDR4模組2025年底進入產(chǎn)品壽命結(jié)束，最后訂購日期在6月上旬。停止1y/1z納米制程8GB LPDDR4生產(chǎn)；多款8GB/16GB DDR4 SODIMM或UDIMM模組等將進入停產(chǎn)，最后出貨日期為12月10日。

美光：已向客戶發(fā)出信件通知DDR4/LPDDR4將停產(chǎn)，預(yù)計未來2-3個季度陸續(xù)停止出貨，主要針對PC及數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域，僅保留車用/工業(yè)定制化產(chǎn)能。

SK海力士：DDR4產(chǎn)能占比從30%降至20%，大連工廠轉(zhuǎn)產(chǎn)HBM。

至此，三家存儲大廠均已宣布停產(chǎn)DDR4內(nèi)存。究其根源，AI帶來巨量的HBM和服務(wù)器DRAM增量需求，使得原廠傾注更多資源生產(chǎn)高附加值產(chǎn)品。而DDR4產(chǎn)品隨著時間推移，邊際利潤越來越低，故而大型原廠選擇撤出這一市場。

然而，在原廠撤出的同時，國內(nèi)市場卻呈現(xiàn)出不同景象。國內(nèi)存儲企業(yè)長鑫存儲、福建晉華在DDR4內(nèi)存市場上采取了積極的擴產(chǎn)策略，并大幅下調(diào)價格，這一舉措使得國內(nèi)廠商在DDR4市場份額得以快速提升，填補了國外大廠退出后留下的部分市場空缺。

國內(nèi)廠商之所以還在專攻DDR4，主要是基于市場需求與自身技術(shù)發(fā)展階段的考量。在市場需求端，盡管DDR5逐漸興起，但DDR4在一些對成本較為敏感且性能要求相對不高的領(lǐng)域，例如部分消費級PC、低端筆記本電腦、工業(yè)控制、智能家居等，仍存在較大需求。從自身技術(shù)發(fā)展來看，國內(nèi)廠商在DDR4領(lǐng)域經(jīng)過多年耕耘，已經(jīng)積累了一定的技術(shù)實力與產(chǎn)能優(yōu)勢。其通過對DDR4技術(shù)的持續(xù)優(yōu)化，在產(chǎn)品性能和質(zhì)量上也不斷提升，能夠滿足市場對DDR4內(nèi)存的品質(zhì)要求，從而在DDR4市場競爭中占據(jù)一席之地。

而在技術(shù)研發(fā)方面，國內(nèi)廠商在DDR4技術(shù)上也不斷取得突破，逐步縮小與國際領(lǐng)先水平的差距。以兆易創(chuàng)新為例，公司通過自主研發(fā)與持續(xù)技術(shù)累積，已推出多款符合JEDEC標準的DDR4芯片產(chǎn)品，涵蓋不同容量與頻率規(guī)格，廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、安防監(jiān)控、網(wǎng)絡(luò)通信等。兆易創(chuàng)新在DDR4產(chǎn)品上持續(xù)提升數(shù)據(jù)傳輸速率、降低功耗，同時在兼容性與可靠性測試方面建立起成熟體系，已具備向下游客戶大規(guī)模穩(wěn)定供貨的能力。

合肥長鑫作為國內(nèi)DRAM制造領(lǐng)域的重要力量，也在DDR4技術(shù)上不斷推進工藝演進。目前，長鑫基于19nm工藝節(jié)點的DDR4芯片已實現(xiàn)量產(chǎn)，產(chǎn)品性能可滿足中高端市場需求。在制程微縮、芯片穩(wěn)定性與產(chǎn)能擴展等方面，長鑫持續(xù)加碼投入，逐步打破國外技術(shù)壟斷。

此外，包括福建晉華、普冉半導(dǎo)體等新興廠商也在積極布局DDR4相關(guān)產(chǎn)品開發(fā)，圍繞特定行業(yè)需求打造差異化解決方案，加速產(chǎn)品落地。

02、海外廠商轉(zhuǎn)向HBM/DDR5，多領(lǐng)域驅(qū)動發(fā)展

當國外大廠逐步停產(chǎn)DDR4時，它們將目光轉(zhuǎn)向了HBM和DDR5市場，而這一轉(zhuǎn)變背后，是多領(lǐng)域的強勁需求驅(qū)動。

數(shù)據(jù)中心作為AI應(yīng)用的核心場景，對內(nèi)存性能和容量提出了極高要求。隨著人工智能技術(shù)的迅猛發(fā)展，無論是AI訓練還是推理，都需要處理海量數(shù)據(jù)，這使得內(nèi)存的帶寬和容量成為系統(tǒng)效能的關(guān)鍵瓶頸。DDR5憑借高速率和大容量特性，能夠有效提升數(shù)據(jù)處理速度；HBM則以其超高帶寬，極大滿足了AI服務(wù)器對數(shù)據(jù)快速讀寫的需求。

在PC和移動設(shè)備市場，隨著AI技術(shù)的逐漸融入，對內(nèi)存容量和性能的要求也在不斷提高。例如更多AI PC的出貨以及智能手機DRAM容量從8GB向16GB邁進，都促使市場對更高性能內(nèi)存的需求增加。DDR5在PC和移動設(shè)備中的應(yīng)用，能夠提升設(shè)備的運行速度和多任務(wù)處理能力，為用戶帶來更流暢的使用體驗。

汽車行業(yè)正朝著智能化、電動化方向發(fā)展，車載信息娛樂系統(tǒng)、自動駕駛輔助系統(tǒng)等對內(nèi)存的性能和可靠性要求日益嚴苛。DDR5內(nèi)存的高性能和低功耗特性，使其能夠更好地適應(yīng)汽車電子系統(tǒng)的需求；而HBM在一些高端自動駕駛計算平臺中，也開始嶄露頭角，用于滿足對海量數(shù)據(jù)快速處理的需求。

當然，海外主要廠商在DDR5和HBM產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展方面也取得了顯著進展。三星作為存儲行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，在DDR5和HBM技術(shù)上持續(xù)投入研發(fā)。其重點生產(chǎn)1a/1b納米制程的DDR5和HBM3E，通過先進的制程工藝，提升產(chǎn)品性能和降低功耗。在HBM方面，三星不斷優(yōu)化HBM3E技術(shù)，提升其在AI服務(wù)器等領(lǐng)域的應(yīng)用性能。

SK海力士同樣在DDR5和HBM領(lǐng)域發(fā)力，其DDR4產(chǎn)能占比持續(xù)下降，重點聚焦企業(yè)級與AI市場。大連工廠轉(zhuǎn)產(chǎn)HBM3E和LPDDR5X，且HBM產(chǎn)能已售罄。SK海力士計劃2025年Q3量產(chǎn)HBM4，采用MR-MUF工藝，單顆容量達36GB，這將進一步推動AI服務(wù)器性能的提升，滿足AI應(yīng)用對內(nèi)存更高的帶寬和容量需求。

美光在DDR5和HBM產(chǎn)品布局上也毫不落后。公司在停止部分DDR4供應(yīng)的同時，大力發(fā)展DDR5及HBM3E產(chǎn)品。美光的HBM產(chǎn)能每季度都在強勁提升，并且憑借低功耗技術(shù)優(yōu)勢，如正在量產(chǎn)且產(chǎn)能快速提升的HBM3E，比最強競爭對手的產(chǎn)品功耗低30%，在市場競爭中占據(jù)有利地位。同時，美光也是全球唯一一家能夠非?？焖倭慨a(chǎn)LPDRAM，并將其應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心的公司，進一步鞏固了其在高端內(nèi)存市場的地位。

03、內(nèi)存市場未來發(fā)展趨勢

從市場趨勢來看，DDR5取代DDR4成為主流已是必然。隨著技術(shù)進步與產(chǎn)能提升，DDR5性價比持續(xù)走高，預(yù)計2025年滲透率突破65%，2026年達80%以上，其與DDR4的價格差也在不斷縮小，加速了消費級市場的接納進程。而HBM市場憑借AI應(yīng)用的強勁需求，呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，未來在AI服務(wù)器、高性能計算等領(lǐng)域的加持下需求還將持續(xù)高速增長。

對于國內(nèi)廠商，盡管在DDR4市場有所收獲，但面對內(nèi)存行業(yè)快速的技術(shù)迭代，需加快向DDR5和HBM領(lǐng)域轉(zhuǎn)型，從而縮小與國際大廠的技術(shù)差距，才能在未來內(nèi)存市場競爭中搶占先機。